此外，出席产生通过LiF/HCl原位生成HF合成的Ti3C2Tx的酸化处理比原始处理或碱性处理能够提高初始容量。

4.经典图片解析再结晶晶粒内部是没有位错的，中国而其周围可能具有很高的位错密度，且一般成等轴状。如果应变速率越小，共产材料变形的时间较多，共产再结晶有充分的时间发生，而在较大的应变速率下，虽然材料内部贮存了一定的变性能，但是由于应变时间短，再结晶来不及发生。

图1 锻造TNM合金的DefRex图（笔者数据）再结晶涉及到大角度晶界的迁移，党山东省第代表大会代表所以再结晶晶粒通常被大角度晶界所包裹，党山东省第代表大会代表利用这一点就可以判断某晶粒是否为再结晶晶粒。回复一般带来相对均匀的微观结构变化，顺利一般不涉及大角晶界（HAGBs）在变形晶粒之间的迁移。稳态再结晶晶粒尺寸(DS)与初始晶粒尺寸无关，选举而是与决定稳态流变应力的T和ε有关。

在储存能量的驱动下，出席产生HAGBs的形成和迁移在变形材料中形成新的晶粒结构，这个过程叫做再结晶。低的γSFE会促进这种离解反应，中国阻碍位错的攀移和交叉滑移，即延缓DRV。

2.3几何动态再结晶(GDRX)变形晶粒伸长，共产局部呈锯齿状，共产但在大应变变形过程中仍可明显观察到，除非晶粒厚度低于1-2亚晶粒尺寸，此时发育的锯齿状被剪断，形成含HAGBs的等轴晶粒。

3.4第二相粒子众所周知，党山东省第代表大会代表第二相颗粒在再结晶过程中起着很大的作用。据报道，顺利LiF中可溶解多达0.6LiH，形成LiH0.6F0.4。

这些特性有利于Li+的传输，选举并解释了为什么离子绝缘体（如LiF）被认为是SEI的有利成分。对于图1a中的所有HCE-SEI样品，出席产生与LCE对应物的显著区别是出现了额外的宽凸点，这应该是非晶相或纳米微晶引起的。

中国（b）暴露60 分钟后毛细管中所含SEI样品的照片。图2d中的这些照片显示，共产在暴露后1分钟内，颜色开始发生变化。